Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 3B751LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 7.5 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 3B751LF.
3B751LF hat eine Induktivität von 7.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
3B751LF ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
3B751LF hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
3B751LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 7.5 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.400" Dia x 0.850" L (10.16mm x 21.59mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 7.5UH 3A 30 MOHM TH |
| Serie | 3B |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
