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5022-112G

5022-112G

Delevan

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.1UH 930MA 420 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.1 µH
Nennstrom
930 mA
DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max
Abmessungen
0.520" L x 0.250" W (13.21mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 5022-112G.

Induktivität
1.1 µH

5022-112G hat eine Induktivität von 1.1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
930 mA

5022-112G ist für 930 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max

5022-112G hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

5022-112G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1.1 µH
Toleranz±2%
Nennstrom930 mA
DC-Widerstand (DCR)420mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.520" L x 0.250" W (13.21mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantDelevan
BeschreibungFIXED IND 1.1UH 930MA 420 MOHM
Serie5022
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz33 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz190MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.230" (5.84mm)
Merkmalehttps://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/5022-112G/4200488

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