74404032010

74404032010

Würth Elektronik

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 74404032010 von Würth Elektronik. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 33mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.2 A
DC-Widerstand (DCR)
33mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 74404032010.

Induktivität
1 µH

74404032010 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.2 A

74404032010 ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
33mOhm

74404032010 hat einen DC-Widerstand von 33mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

74404032010 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.2 A
DC-Widerstand (DCR)33mOhm
Sättigungsstrom3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantWürth Elektronik
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.2A 33 MOHM SMD
SerieWE-LQS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz138MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3015
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)

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