Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 744115 von Würth Elektronik. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 180mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 744115.
744115 hat eine Induktivität von 200 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
744115 ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
744115 hat einen DC-Widerstand von 180mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
744115 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 180mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 900mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.709" Dia x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Würth Elektronik |
| Beschreibung | FIXED IND 200UH 2.2A 180 MOHM TH |
| Serie | WE-SI |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 kHz |
| Montageart | Through Hole |
