Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 7447820133G von Würth Elektronik. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 110 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.5Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 7447820133G.
7447820133G hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
7447820133G ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
7447820133G hat einen DC-Widerstand von 1.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
7447820133G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 110 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.5Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Gehäuse / Größe | 0201 (0603 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 (0603 Metric) |
| Lieferant | Würth Elektronik |
| Beschreibung | FIXED IND 33NH 110MA 1.5 OHM SMD |
| Serie | WE-MK |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 4 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.7GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0201 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.013" (0.33mm) |
