Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 8532-09J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 4.01 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 8532-09J.
8532-09J hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
8532-09J ist für 4.01 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
8532-09J hat einen DC-Widerstand von 22mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
8532-09J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 4.01 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 22mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.9A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.880" L x 0.330" W (22.35mm x 8.38mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7UH 4.01A 22 MOHM |
| Serie | 8532 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.286" (7.26mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/8532-09J/4202073 |
