Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 8532R-01J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 6.27 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 8532R-01J.
8532R-01J hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
8532R-01J ist für 6.27 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
8532R-01J hat einen DC-Widerstand von 9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
8532R-01J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 6.27 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 6.4A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.880" L x 0.330" W (22.35mm x 8.38mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 6.27A 9 MOHM SMD |
| Serie | 8532R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.286" (7.26mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/8532R-01J/4202200 |
