894AT7503V

894AT7503V

Gowanda

Radial, Vertical Cylinder (Open)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 894AT7503V von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 160mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
750 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max
Abmessungen
1.300" Dia x 0.650" W (33.02mm x 16.51mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 894AT7503V.

Induktivität
750 µH

894AT7503V hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

894AT7503V ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max

894AT7503V hat einen DC-Widerstand von 160mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder (Open)

894AT7503V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität750 µH
Toleranz±10%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)160mOhm Max
Sättigungsstrom4A
Betriebstemperatur-55°C ~ 130°C
Abmessungen1.300" Dia x 0.650" W (33.02mm x 16.51mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder (Open)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 750UH 3A 160 MOHM TH
SerieAT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz600kHz
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial

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