Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 8M120K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 835 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 8M120K.
8M120K hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
8M120K ist für 835 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
8M120K hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
8M120K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 835 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.078" Dia x 0.200" L (1.98mm x 5.08mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 12NH 835MA 150 MOHM TH |
| Serie | 8M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 35 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 650MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 5 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
