Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 930T1007LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 H, Nennstrom 81 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 110Ohm Max, Gehäusegröße Radial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 930T1007LF.
930T1007LF hat eine Induktivität von 1 H. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
930T1007LF ist für 81 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
930T1007LF hat einen DC-Widerstand von 110Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
930T1007LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 930T1007LF weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 H |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 81 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 110Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 1.400" Dia (35.56mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial |
| Gehäuse / Ausführung | Radial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 1H 81MA 110 OHM TH |
| Serie | T-Small |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 15MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.700" (17.78mm) |
