Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil A7503AY-100M von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10uH, Nennstrom 4.32A, Gleichstromwiderstand (DCR) 36mΩ, Gehäusegröße Through Hole,D11xL13.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für A7503AY-100M.
A7503AY-100M hat eine Induktivität von 10uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
A7503AY-100M ist für 4.32A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
A7503AY-100M hat einen DC-Widerstand von 36mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
A7503AY-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole,D11xL13.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.32A |
| DC-Widerstand (DCR) | 36mΩ |
| Gehäuse / Größe | Through Hole,D11xL13.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole,D11xL13.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 10uH, ±20%, Rated current: 4.32A, Case: Through Hole,D11xL13.5mm |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |