Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AFDI001312102R2M01 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 20 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2mOhm Max, Gehäusegröße Radial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AFDI001312102R2M01.
AFDI001312102R2M01 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AFDI001312102R2M01 ist für 20 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AFDI001312102R2M01 hat einen DC-Widerstand von 2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AFDI001312102R2M01 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 20 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 20A |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.512" L x 0.472" W (13.00mm x 12.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial |
| Gehäuse / Ausführung | Radial |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 20A 2 MOHM TH |
| Serie | AFDI |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.413" (10.50mm) |