Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AFSI001211093R3M05 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 26 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.8mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AFSI001211093R3M05.
AFSI001211093R3M05 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AFSI001211093R3M05 ist für 26 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AFSI001211093R3M05 hat einen DC-Widerstand von 3.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AFSI001211093R3M05 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 26 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.8mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 26A |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.472" L x 0.433" W (12.00mm x 11.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 26A 3.8 MOHM SMD |
| Serie | AFSI |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.346" (8.80mm) |
