Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AIAP-01-101K-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 550 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 670mOhm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-01-101K-T.
AIAP-01-101K-T hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AIAP-01-101K-T ist für 550 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AIAP-01-101K-T hat einen DC-Widerstand von 670mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AIAP-01-101K-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von AIAP-01-101K-T weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 550 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 670mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Gehäuse / Größe | Through Hole |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 550MA 670 MOHM |
| Serie | AIAP-01 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.9MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.130" Dia x 0.360" L (3.30mm x 9.14mm) |
