LogoMagdir
AIAP-02-222K

AIAP-02-222K

Abracon

Through Hole
PDF

Beschreibung

FIXED IND 2.2MH 270MA 4.48 OHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 mH
Nennstrom
270 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.48Ohm Max
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-02-222K.

Induktivität
2.2 mH

AIAP-02-222K hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
270 mA

AIAP-02-222K ist für 270 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.48Ohm Max

AIAP-02-222K hat einen DC-Widerstand von 4.48Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Through Hole

AIAP-02-222K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von AIAP-02-222K weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität2.2 mH
Toleranz±10%
Nennstrom270 mA
DC-Widerstand (DCR)4.48Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen-
Gehäuse / GrößeThrough Hole
Gehäuse / AusführungThrough Hole
LieferantWEC,Abracon
BeschreibungFIXED IND 2.2MH 270MA 4.48 OHM
SerieAIAP-02
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
Montageart-
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)0.252" Dia x 0.551" L (6.40mm x 14.00mm)
Merkmale-

Vorschau