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AIAP-02-4R7M

AIAP-02-4R7M

Abracon

Through Hole
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 6.3A 22 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
6.3 A
DC-Widerstand (DCR)
22mOhm Max
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-02-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

AIAP-02-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.3 A

AIAP-02-4R7M ist für 6.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
22mOhm Max

AIAP-02-4R7M hat einen DC-Widerstand von 22mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Through Hole

AIAP-02-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom6.3 A
DC-Widerstand (DCR)22mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen-
Gehäuse / GrößeThrough Hole
Gehäuse / AusführungThrough Hole
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 6.3A 22 MOHM TH
SerieAIAP-02
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
Montageart-
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)0.252" Dia x 0.551" L (6.40mm x 14.00mm)
Merkmale-

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