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AIAP-02-562K

AIAP-02-562K

Abracon

Through Hole
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AIAP-02-562K von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 mH, Nennstrom 170 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 13.9Ohm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 mH
Nennstrom
170 mA
DC-Widerstand (DCR)
13.9Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-02-562K.

Induktivität
5.6 mH

AIAP-02-562K hat eine Induktivität von 5.6 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
170 mA

AIAP-02-562K ist für 170 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13.9Ohm Max

AIAP-02-562K hat einen DC-Widerstand von 13.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Through Hole

AIAP-02-562K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität5.6 mH
Toleranz±10%
Nennstrom170 mA
DC-Widerstand (DCR)13.9Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Gehäuse / GrößeThrough Hole
Gehäuse / AusführungThrough Hole
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 5.6MH 170MA 13.9 OHM
SerieAIAP-02
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)0.252" Dia x 0.551" L (6.40mm x 14.00mm)

Vorschau

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