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AIAP-02-6R8M

AIAP-02-6R8M

Abracon

Through Hole
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AIAP-02-6R8M von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 5.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 26mOhm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
5.3 A
DC-Widerstand (DCR)
26mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-02-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

AIAP-02-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.3 A

AIAP-02-6R8M ist für 5.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
26mOhm Max

AIAP-02-6R8M hat einen DC-Widerstand von 26mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Through Hole

AIAP-02-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±10%
Nennstrom5.3 A
DC-Widerstand (DCR)26mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Gehäuse / GrößeThrough Hole
Gehäuse / AusführungThrough Hole
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 5.3A 26 MOHM TH
SerieAIAP-02
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)0.252" Dia x 0.551" L (6.40mm x 14.00mm)

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