Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AIAP-03-222K von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 mH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-03-222K.
AIAP-03-222K hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AIAP-03-222K ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AIAP-03-222K hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AIAP-03-222K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 mH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 580 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | Through Hole |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2MH 580MA 2 OHM TH |
| Serie | AIAP-03 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.449" Dia x 0.902" L (11.40mm x 22.90mm) |
