Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AIAP-03-820K von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 3.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße Through Hole. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AIAP-03-820K.
AIAP-03-820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AIAP-03-820K ist für 3.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AIAP-03-820K hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AIAP-03-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Through Hole. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 3.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Gehäuse / Größe | Through Hole |
| Gehäuse / Ausführung | Through Hole |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 3.1A 60 MOHM TH |
| Serie | AIAP-03 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.449" Dia x 0.902" L (11.40mm x 22.90mm) |
