AISC-1008-R15M-T
Abracon
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1008-R15M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 620mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1008-R15M-T.
AISC-1008-R15M-T hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AISC-1008-R15M-T ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AISC-1008-R15M-T hat einen DC-Widerstand von 620mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AISC-1008-R15M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 150 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 580 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 620mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 150NH 580MA 620 MOHM |
| Serie | AISC-1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 800MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.090" (2.29mm) |
