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AISC-1008-R82G-T

AISC-1008-R82G-T

Abracon

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1008-R82G-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.61Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.61Ohm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1008-R82G-T.

Induktivität
820 nH

AISC-1008-R82G-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

AISC-1008-R82G-T ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.61Ohm Max

AISC-1008-R82G-T hat einen DC-Widerstand von 1.61Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

AISC-1008-R82G-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)1.61Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 820NH 400MA 1.61 OHM
SerieAISC-1008
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz330MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.090" (2.29mm)

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