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AISC-1008F-1R2G-T

AISC-1008F-1R2G-T

Abracon

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1008F-1R2G-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1008F-1R2G-T.

Induktivität
1.2 µH

AISC-1008F-1R2G-T hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

AISC-1008F-1R2G-T ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

AISC-1008F-1R2G-T hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

AISC-1008F-1R2G-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±2%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 650MA 800 MOHM
SerieAISC-1008F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz37 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz250MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.090" (2.29mm)

Vorschau