Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1206-R82K-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.82Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1206-R82K-T.
AISC-1206-R82K-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AISC-1206-R82K-T ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AISC-1206-R82K-T hat einen DC-Widerstand von 1.82Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AISC-1206-R82K-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 400 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.82Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.140" L x 0.085" W (3.56mm x 2.16mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 400MA 1.82 OHM |
| Serie | AISC-1206 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 150MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 420MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 35 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1206 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.060" (1.52mm) |
