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AISC-1210HS-330K-T2

AISC-1210HS-330K-T2

Abracon

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1210HS-330K-T2 von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 220 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 5Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
220 mA
DC-Widerstand (DCR)
5Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1210HS-330K-T2.

Induktivität
33 µH

AISC-1210HS-330K-T2 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220 mA

AISC-1210HS-330K-T2 ist für 220 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
5Ohm Max

AISC-1210HS-330K-T2 hat einen DC-Widerstand von 5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AISC-1210HS-330K-T2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±10%
Nennstrom220 mA
DC-Widerstand (DCR)5Ohm Max
Sättigungsstrom250mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 33UH 220MA 5 OHM SMD
SerieAISC-1210HS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz20MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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