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AISC-1210HS-3R3K-T2

AISC-1210HS-3R3K-T2

Abracon

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-1210HS-3R3K-T2 von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-1210HS-3R3K-T2.

Induktivität
3.3 µH

AISC-1210HS-3R3K-T2 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

AISC-1210HS-3R3K-T2 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max

AISC-1210HS-3R3K-T2 hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

AISC-1210HS-3R3K-T2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±10%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm Max
Sättigungsstrom700mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 650MA 750 MOHM
SerieAISC-1210HS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.051" (1.30mm)

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