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AISC-Q0805-R56K-T

AISC-Q0805-R56K-T

Abracon

Surface Mount
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-Q0805-R56K-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 230 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.9Ohm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
230 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm Max
Abmessungen
0805

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-Q0805-R56K-T.

Induktivität
560 nH

AISC-Q0805-R56K-T hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
230 mA

AISC-Q0805-R56K-T ist für 230 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.9Ohm Max

AISC-Q0805-R56K-T hat einen DC-Widerstand von 1.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Surface Mount

AISC-Q0805-R56K-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität560 nH
Toleranz±10%
Nennstrom230 mA
DC-Widerstand (DCR)1.9Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0805
Gehäuse / GrößeSurface Mount
Gehäuse / AusführungSurface Mount
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 560NH 230MA 1.9 OHM
SerieAISC-Q0805
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz340MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.090" L x 0.068" W (2.29mm x 1.73mm)
Merkmale0.090" (2.29mm)

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