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AISC-Q1008-103K-T

AISC-Q1008-103K-T

Abracon

Surface Mount
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISC-Q1008-103K-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 9Ohm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
9Ohm Max
Abmessungen
1008

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISC-Q1008-103K-T.

Induktivität
10 µH

AISC-Q1008-103K-T hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

AISC-Q1008-103K-T ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9Ohm Max

AISC-Q1008-103K-T hat einen DC-Widerstand von 9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Surface Mount

AISC-Q1008-103K-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)9Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen1008
Gehäuse / GrößeSurface Mount
Gehäuse / AusführungSurface Mount
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 10UH 150MA 9 OHM SMD
SerieAISC-Q1008
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz20MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Merkmale0.115" (2.92mm)

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