Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISM-1008-8R2J-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 160 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.05Ohm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISM-1008-8R2J-T.
AISM-1008-8R2J-T hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AISM-1008-8R2J-T ist für 160 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AISM-1008-8R2J-T hat einen DC-Widerstand von 3.05Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AISM-1008-8R2J-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 160 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.05Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 1008 |
| Gehäuse / Größe | Surface Mount |
| Gehäuse / Ausführung | Surface Mount |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 160MA 3.05 OHM |
| Serie | AISM-1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 36MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Merkmale | 0.075" (1.90mm) |
