Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AISM-2220-1R8J-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 1.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AISM-2220-1R8J-T.
AISM-2220-1R8J-T hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AISM-2220-1R8J-T ist für 1.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AISM-2220-1R8J-T hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AISM-2220-1R8J-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 2220 |
| Gehäuse / Größe | Surface Mount |
| Gehäuse / Ausführung | Surface Mount |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 1.4A 50 MOHM SMD |
| Serie | AISM-2220 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 47MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Hersteller-Gehäuse | 2220 (5750 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.228" L x 0.205" W (5.80mm x 5.20mm) |
