AL05B9N85GTR
KYOCERA AVX
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AL05B9N85GTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 9.85 nH, Nennstrom 1.6 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AL05B9N85GTR.
AL05B9N85GTR hat eine Induktivität von 9.85 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AL05B9N85GTR ist für 1.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AL05B9N85GTR hat einen DC-Widerstand von 13mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AL05B9N85GTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 9.85 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 1.6 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 13mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.159 L x 0.056 W (4.04mm x 1.42mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | WEC |
| Beschreibung | FIXED IND 9.85NH 1.6A 13 MOHM |
| Serie | AL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Air |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 100 @ 800MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5.2GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 800 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.060 (1.52mm) |
