Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil AMDLA1004S-3R3MT von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.8mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AMDLA1004S-3R3MT.
AMDLA1004S-3R3MT hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
AMDLA1004S-3R3MT ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
AMDLA1004S-3R3MT hat einen DC-Widerstand von 11.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
AMDLA1004S-3R3MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 11 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 11.8mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 17.5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.433" L x 0.394" W (11.00mm x 10.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 11A 11.8 MOHM |
| Serie | AMDLA1004S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.157" (4.00mm) |
