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AMPLH5030S-2R2MT

AMPLH5030S-2R2MT

Abracon

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 12A 14.4 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
12 A
DC-Widerstand (DCR)
14.4mOhm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.205" W (5.60mm x 5.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für AMPLH5030S-2R2MT.

Induktivität
2.2 µH

AMPLH5030S-2R2MT hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
12 A

AMPLH5030S-2R2MT ist für 12 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14.4mOhm Max

AMPLH5030S-2R2MT hat einen DC-Widerstand von 14.4mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

AMPLH5030S-2R2MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom12 A
DC-Widerstand (DCR)14.4mOhm Max
Sättigungsstrom12.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.220" L x 0.205" W (5.60mm x 5.20mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 12A 14.4 MOHM
SerieAMPLH5030S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialCarbonyl Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.118" (3.00mm)
MerkmaleLow DCR, Soft Saturation

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