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APAL00060645680T80

APAL00060645680T80

Pulse Electronics

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APAL00060645680T80 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 µH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm
Abmessungen
0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APAL00060645680T80.

Induktivität
68 µH

APAL00060645680T80 hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

APAL00060645680T80 ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

APAL00060645680T80 hat einen DC-Widerstand von 200mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APAL00060645680T80 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)200mOhm
Sättigungsstrom810mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 68UH 1.1A 200 MOHM SMD
SerieAPAL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.189" (4.80mm)