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APAL00080845100M70

APAL00080845100M70

Pulse Electronics

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APAL00080845100M70 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 3.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 33mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
3.4 A
DC-Widerstand (DCR)
33mOhm
Abmessungen
0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APAL00080845100M70.

Induktivität
10 µH

APAL00080845100M70 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.4 A

APAL00080845100M70 ist für 3.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
33mOhm

APAL00080845100M70 hat einen DC-Widerstand von 33mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APAL00080845100M70 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.4 A
DC-Widerstand (DCR)33mOhm
Sättigungsstrom3A
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C
Abmessungen0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 10UH 3.4A 33 MOHM SMD
SerieAPAL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)