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APAL000808451R0T70

APAL000808451R0T70

Pulse Electronics

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APAL000808451R0T70 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
11 A
DC-Widerstand (DCR)
9mOhm
Abmessungen
0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APAL000808451R0T70.

Induktivität
1 µH

APAL000808451R0T70 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11 A

APAL000808451R0T70 ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9mOhm

APAL000808451R0T70 hat einen DC-Widerstand von 9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APAL000808451R0T70 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom11 A
DC-Widerstand (DCR)9mOhm
Sättigungsstrom8.5A
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C
Abmessungen0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1UH 11A 9 MOHM SMD
SerieAPAL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.177" (4.50mm)