APAL000808451R0T80
Pulse Electronics
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APAL000808451R0T80 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APAL000808451R0T80.
APAL000808451R0T80 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
APAL000808451R0T80 ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
APAL000808451R0T80 hat einen DC-Widerstand von 9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
APAL000808451R0T80 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Similar-specification candidates · Engineering review required
Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.
Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 11 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9mOhm |
| Sättigungsstrom | 8.5A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.374" L x 0.295" W (9.50mm x 7.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 11A 9 MOHM SMD |
| Serie | APAL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |