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APMV00110812R32M0E

APMV00110812R32M0E

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APMV00110812R32M0E von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 320 nH, Nennstrom 75 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.15mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
320 nH
Nennstrom
75 A
DC-Widerstand (DCR)
0.15mOhm
Abmessungen
0.421" L x 0.295" W (10.70mm x 7.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APMV00110812R32M0E.

Induktivität
320 nH

APMV00110812R32M0E hat eine Induktivität von 320 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
75 A

APMV00110812R32M0E ist für 75 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.15mOhm

APMV00110812R32M0E hat einen DC-Widerstand von 0.15mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APMV00110812R32M0E verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität320 nH
Toleranz±20%
Nennstrom75 A
DC-Widerstand (DCR)0.15mOhm
Sättigungsstrom51A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.421" L x 0.295" W (10.70mm x 7.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 320NH 75A 0.15 MOHM
SerieAPMV
ProduktstatusActive
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.472" (12.00mm)

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