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APSD000303213R9M00

APSD000303213R9M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APSD000303213R9M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 190mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
DC-Widerstand (DCR)
190mOhm Max
Abmessungen
0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD000303213R9M00.

Induktivität
3.9 µH

APSD000303213R9M00 hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
190mOhm Max

APSD000303213R9M00 hat einen DC-Widerstand von 190mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD000303213R9M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)190mOhm Max
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 190 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)

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