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APSD000303216R8M00

APSD000303216R8M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APSD000303216R8M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max
Abmessungen
0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD000303216R8M00.

Induktivität
6.8 µH

APSD000303216R8M00 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max

APSD000303216R8M00 hat einen DC-Widerstand von 250mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD000303216R8M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
DC-Widerstand (DCR)250mOhm Max
Sättigungsstrom850mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 250 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)

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