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APSD000303218R2M00

APSD000303218R2M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 280 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max
Abmessungen
0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD000303218R2M00.

Induktivität
8.2 µH

APSD000303218R2M00 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

APSD000303218R2M00 ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max

APSD000303218R2M00 hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD000303218R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)280mOhm Max
Sättigungsstrom820mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 280 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)
Merkmale-

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