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APSD00030321R82T00

APSD00030321R82T00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 60 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max
Abmessungen
0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD00030321R82T00.

Induktivität
820 nH

APSD00030321R82T00 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

APSD00030321R82T00 ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max

APSD00030321R82T00 hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD00030321R82T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±30%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)60mOhm Max
Sättigungsstrom2.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.130" L x 0.118" W (3.30mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 820NH 60 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)
Merkmale-

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