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APSD000605306R8M00

APSD000605306R8M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 90 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.228" L x 0.205" W (5.80mm x 5.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD000605306R8M00.

Induktivität
6.8 µH

APSD000605306R8M00 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

APSD000605306R8M00 ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

APSD000605306R8M00 hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD000605306R8M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Sättigungsstrom2.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.228" L x 0.205" W (5.80mm x 5.20mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 90 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.130" (3.30mm)
Merkmale-

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