APSD00080735120K00

APSD00080735120K00

Pulse Electronics

Nonstandard
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APSD00080735120K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Nennstrom 1.39 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12 µH
Nennstrom
1.39 A
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.307" L x 0.276" W (7.80mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APSD00080735120K00.

Induktivität
12 µH

APSD00080735120K00 hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.39 A

APSD00080735120K00 ist für 1.39 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

APSD00080735120K00 hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

APSD00080735120K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von APSD00080735120K00 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität12 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1.39 A
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Sättigungsstrom1.39A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.307" L x 0.276" W (7.80mm x 7.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 12UH 90 MOHM SMD
SerieAPSD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.150" (3.80mm)

Vorschau

PDF öffnen