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ASCH001005051N2SCP

ASCH001005051N2SCP

Pulse Electronics

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASCH001005051N2SCP von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASCH001005051N2SCP.

Induktivität
1.2 nH

ASCH001005051N2SCP hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

ASCH001005051N2SCP ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

ASCH001005051N2SCP hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

ASCH001005051N2SCP verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1.2NH 400MA 90 MOHM
SerieASCH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz8 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)

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