Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPI-2010-1R0M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1.6 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 114mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-2010-1R0M-T.
ASPI-2010-1R0M-T hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ASPI-2010-1R0M-T ist für 1.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ASPI-2010-1R0M-T hat einen DC-Widerstand von 114mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ASPI-2010-1R0M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.6 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 114mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.85A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 1.6A 114 MOHM SMD |
| Serie | ASPI-2010 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/abracon-llc/ASPI-2010-1R0M-T/4215174 |
