ASPI-2012-3R3M-T
Abracon
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil ASPI-2012-3R3M-T von Abracon. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 276mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-2012-3R3M-T.
ASPI-2012-3R3M-T hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ASPI-2012-3R3M-T ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ASPI-2012-3R3M-T hat einen DC-Widerstand von 276mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ASPI-2012-3R3M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 276mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Abracon |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 850MA 276 MOHM |
| Serie | ASPI-2012 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Nickel Zinc Ferrite (NiZn) |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
