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ASPI-3012S-2R4N-T

ASPI-3012S-2R4N-T

Abracon

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.4UH 1.6A 68 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.4 µH
Nennstrom
1.6 A
DC-Widerstand (DCR)
68mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-3012S-2R4N-T.

Induktivität
2.4 µH

ASPI-3012S-2R4N-T hat eine Induktivität von 2.4 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.6 A

ASPI-3012S-2R4N-T ist für 1.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
68mOhm

ASPI-3012S-2R4N-T hat einen DC-Widerstand von 68mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

ASPI-3012S-2R4N-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität2.4 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.6 A
DC-Widerstand (DCR)68mOhm
Sättigungsstrom1.15A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 2.4UH 1.6A 68 MOHM SMD
SerieASPI-3012S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)
Merkmale-

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