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ASPI-3012S-R82N-T

ASPI-3012S-R82N-T

Abracon

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 2.47A 30 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
2.47 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-3012S-R82N-T.

Induktivität
820 nH

ASPI-3012S-R82N-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.47 A

ASPI-3012S-R82N-T ist für 2.47 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

ASPI-3012S-R82N-T hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

ASPI-3012S-R82N-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±30%
Nennstrom2.47 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm
Sättigungsstrom2.05A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 820NH 2.47A 30 MOHM
SerieASPI-3012S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)
Merkmale-

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