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ASPI-8040S-8R2N-T

ASPI-8040S-8R2N-T

Abracon

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 3.45A 26 MOHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
3.45 A
DC-Widerstand (DCR)
26mOhm
Abmessungen
0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ASPI-8040S-8R2N-T.

Induktivität
8.2 µH

ASPI-8040S-8R2N-T hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.45 A

ASPI-8040S-8R2N-T ist für 3.45 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
26mOhm

ASPI-8040S-8R2N-T hat einen DC-Widerstand von 26mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

ASPI-8040S-8R2N-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 22.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±30%
Nennstrom3.45 A
DC-Widerstand (DCR)26mOhm
Sättigungsstrom4.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantAbracon
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 3.45A 26 MOHM
SerieASPI-8040S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz17MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.165" (4.20mm)
Merkmale-

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